在IC加工過程中，需要使用中間掩膜版和光掩膜版。我們定義中間掩模版是為整個基片曝光而必須分步和重復的包含圖像的工具。通常圖像的尺寸被放大到基片上圖像的2倍到20倍，但在一些情況下也用相等的圖像。光掩模版被定義為在一次曝光中能把圖形轉移到整個硅片中（或另一張光掩模版上）的工具。中間掩模版有兩種應用：1）把圖形復印到工作掩模版上。2）在分步重復對準儀中把圖像直接轉移到硅片上。在1X硅片步進光刻機中，掩模版上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大；在縮小步進光刻機中，掩模版上的圖形是放大的真實器件圖像。

  在過去的十年，光學掩膜版圖形的制作（PG）領域取得了顯著的進步。圖形可以方便地制作，用成象的方法或使一系列矩形圖形精確地定位到鉻片上。因為IC設計者設計的圖形通常是多邊型的，它們必須被分解成矩形，稱作“分割”數據。關系圖形產生器（OPG）的關鍵部件是光孔（或快門），和一個可移動的臺階。快門被安裝在可移動的頭上，它可以被旋轉以獲得需要的θ值，快門尺寸能夠控制產生特定H、W的矩形來制作圖形。用10×的鏡頭把矩形成像到一個鍍有鉻的玻璃圓片的光敏層上。用激光控制X－Y臺面精確地定位圓片。由臺面設置光孔所定義的矩形的中心坐標X和Y。光孔的尺寸可以控制在±7.5μm，導致掩膜版上尺寸的±0.75μm的不確定性（縮小10倍后）。這是關鍵尺寸的控制。如果生產10×的掩膜版，在硅片上產生±0.075的誤差。除孔的尺寸產生的錯誤外，還有掩膜版和硅片加工時產生的錯誤。由于臺階受激光控制，所以X，Y的定位錯誤非常小。當仍然會導致定位錯誤。這樣的錯誤導致成品率的下降。

  OPG的成品率依賴于掩膜版的復雜程度，數據分割程序的優化，和要求的定位精度。一個調制得很好的AZ1370機器在產生一個優化的圖形時，有每小時 10,000的曝光產率。一個復雜的VLSI電路有超過100,000的的矩形，要求10個多小時生產一個掩膜版。在這個期間要求溫度的變化不能大于± 0.5F，這樣才不增加定位錯誤。掩膜版的質量不能被確定，直到鉻顯影、蝕刻后。在那時的探傷就是10小時工作的檢驗。

    我們不僅加工掩膜版，還專注于各種不銹鋼蝕刻工藝的研發及新產品的設計。